W978H6KBQX2E
Winbond Electronics
Deutsch
Artikelnummer: | W978H6KBQX2E |
---|---|
Hersteller / Marke: | Winbond Electronics Corporation |
Teil der Beschreibung.: | IC DRAM 256MBIT PAR 168WFBGA |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite | 15ns |
Spannungsversorgung | 1.14V ~ 1.95V |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Supplier Device-Gehäuse | 168-WFBGA (12x12) |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 168-WFBGA |
Paket | Tray |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Speichertyp | Volatile |
Speichergröße | 256Mbit |
Speicherorganisation | 16M x 16 |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Speicherformat | DRAM |
Uhrfrequenz | 400 MHz |
Grundproduktnummer | W978H6 |
W978H6KBQX2E Einzelheiten PDF [English] | W978H6KBQX2E PDF - EN.pdf |
IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGA
IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGA
IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
IC DRAM 256MBIT PAR 168WFBGA
IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGA
IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGA
IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGA
IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGA
IC DRAM 256MBIT PAR 168WFBGA
IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGA
IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGA
IC DRAM 256MBIT PAR 134VFBGA
IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGA
IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGA
IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA
IC DRAM 256MBIT PAR 168WFBGA
IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGA
IC DRAM 256MBIT HSUL 12 134VFBGA
2024/10/16
2024/08/25
2024/06/5
2024/04/11
W978H6KBQX2EWinbond Electronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|